velikol.ru
1


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Ивановский государственный химико-технологический университет»

Факультет неорганической химии и технологии

Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники

Утверждаю: проректор по УР

_______________ В.В. Рыбкин

« » 2011 г.

Рабочая учебная программа дисциплины

Материаловедение

Направление подготовки 240100 Химическая технология
Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
Квалификация (степень) Бакалавр
Форма обучения очная

Иваново, 2010

1. Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины являются изучение физико-химической природы, методов исследования и способов получения различных материалов. Это одна из основных теоретических дисциплин профиля, ведущая роль которой в настоящее время широко признана во многих отраслях техники и промышленности.

^ 2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата

Дисциплина относится к дисциплине по выбору цикла профессиональных дисциплин, базируется на результатах изучения дисциплин естественно-научного цикла, в том числе математики, физики, химических дисциплин, а так же дисциплин профиля: «Физическая химия твердого тела», «Физическая электроника». Для успешного усвоения дисциплины студент должен

знать:

- основные понятия и методы математического анализа, линейной алгебры, дискретной математики, теории дифференциальных уравнений и элементов теории уравнений математической физики, теории вероятностей и математической статистики, математических методов решения профессиональных задач;

- технические и программные средства реализации информационных технологий, основы работы в локальных и глобальных сетях, типовые численные методы решения математических задач и алгоритмы их реализации, один из языков программирования высокого уровня;

- законы Ньютона и законы сохранения, принципы специальной теории относительности Эйнштейна, элементы общей теории относительности, элементы механики жидкостей, законы термодинамики, статистические распределения, законы электростатики, природу магнитного поля и поведение веществ в магнитном поле, законы электромагнитной индукции, волновые процессы, геометрическую и волновую оптику, основы квантовой механики, строение многоэлектронных атомов, квантовую статистику электронов металлах и полупроводниках, строение ядра, классификацию элементарных частиц;

- электронное строение атомов и молекул, основы теории химической связи в соединениях разных типов, строение вещества в конденсированном состоянии, основные закономерности протекания химических процессов и характеристики равновесного состояния, химические свойства элементов различных групп Периодической системы и их важнейших соединений;

уметь:

- проводить анализ функций, решать основные задачи теории вероятности и математической статистики, решать уравнения и системы дифференциальных уравнений применительно к реальным процессам, применять математические методы при решении типовых профессиональных задач;

- работать в качестве пользователя персонального компьютера, использовать внешние носители информации для обмена данными между машинами, создавать резервные копии и архивы данных и программ, использовать численные методы для решения математических задач, использовать языки и системы программирования для решения профессиональных задач, работать с программными средствами общего назначения;

- решать типовые задачи связанные с основными разделами физики, использовать физические законы при анализе и решении проблем профессиональной деятельности;

- использовать основные химические законы, термодинамические справочные данные и количественные соотношения неорганической химии для решения профессиональных задач;

владеть:

- методами построения математической модели типовых профессиональных задач и
содержательной интерпретации полученных результатов;

- методами поиска и обмена информацией в глобальных и локальных компьютерных сетях, техническими и программными средствами защиты информации при работе с компьютерными системами;

- методами проведения физических измерений, методами корректной оценки погрешностей при проведении физического эксперимента

- теоретическими методами описания свойств простых и сложных веществ на основе электронного строения их атомов и положения в Периодической системе химических элементов, экспериментальными методами определения физико-химических неорганических

соединений;

Освоение данной дисциплины как предшествующей необходимо при изучении следующих дисциплин:

  • Физическая химия твердого тела

  • Вакуумно-плазменные процессы и технологии;

  • Процессы микро и нанотехнологий;

  • Технология материалов электронной техники;

  • Корпускулярно-фотонные процессы и технологии;

  • Нанотехнологии в электронике;

  • Технология наноструктур;

  • Основы наноэлектроники.

3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

  • стремится к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства, способен приобретать новые знания в области техники и технологии, математики, естественных, гуманитарных, социальных и экономических наук (ОК-7);способен работать с информацией в глобальных компьютерных сетях (ОК-12);

  • способен использовать основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования (ПК-1);

  • способен использовать знания о современной физической картине мира, пространственно-временных закономерностях, строении вещества для понимания окружающего мира и явлений природы (ПК-2);

  • способен использовать знания о строении вещества, природе химической связи в различных классах химических соединений для понимания свойств материалов и механизма химических процессов, протекающих в окружающем мире (ПК-3 );

^ В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

знать: основы физики твердого тела; принципы использования физических эффектов в твердом теле; основы электрических, магнитных, механических свойств материалов, причин старения материалов, химического и фазового состав материалов, их атомную структуру и структуру дефектов.;

уметь: применять полученные знания при теоретическом анализе, экспериментальном исследовании физических процессов, лежащих в основе дисциплины материаловедения, осуществлять оптимальный выбор материала для конкретного применения; применять полученные знания для объяснения физическо-химических свойств новых материалов электронной техники;

владеть: информацией об областях применения и перспективах развития материаловедения; методами экспериментальных исследований параметров и характеристик новых материалов, применяемых в электронной промышленности.

^ 4. Структура дисциплины Материаловедение

Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц, 180 часов.

Вид учебной работы

Всего часов

Семестры

5

6

7

8

^ Аудиторные занятия (всего)

68

68










В том числе:
















Лекции

34

34










Практические занятия (ПЗ)

14

14










Семинары (С)

-

-










Лабораторные работы (ЛР)

20

20










^ Самостоятельная работа (всего)

112

112










В том числе:
















Курсовой проект (работа)

-

-










Расчетно-графические работы

20

20










Реферат

10

10










Оформление отчетов по лабораторным работам

20

20










подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам

30

30










Подготовка к экзамену

32

32










Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)




з,э










Общая трудоемкость час

зач. ед.

180

180










5

5










^ 5. Содержание дисциплины

5.1. Содержание разделов дисциплины

1. Модуль 1. Строение и свойства материалов, фазовые диаграммы, получение монокристаллов.

Лекция 1. Особенности строения твердых тел. Строение и свойства материалов. Основные понятия о механических, электрофизических, химических свойствах и эксплуатационных характеристиках материалов.

Лекция 2. Классификация твердых материалов, требования к ним с точки зрения применения в изделиях электронной техники и технологии. Типы структур материалов, их состояний. Фазовые переходы и рост кристаллов.

Лекция 3. Правило фаз Гиббса. Диаграмма состояния однокомпонентной системы. Уравнение Клайперона –Клаузиуса. Анализ уравнения при равновесии ж.-тв., ж.-г., ж.-тв. Виды диаграмм фазового состояния для бинарной системы. Кривые охлаждения.

Лекция 4. Диаграммы плавкости для бинарных систем без твердых растворов. Диаграммы плавкости для бинарных систем с неограниченной растворимостью в жидких и твердых фазах. Правило рычага.

Лекция 5. Диаграммы плавкости бинарных систем с ограниченными твердыми растворами на примере эвтектики. Диаграммы плавкости бинарных систем с ограниченными твердыми растворами на примере перитектики. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.

Лекция 6. Форма кристаллов и строение слитков. Поликристаллические и аморфные материалы. Монокристаллические материалы. Получение монокристаллов. Кристаллофизические методы получения сверхчистых материалов. Выращивание кристаллов из растворов. Рекристаллизация. Получение монокристаллов из газовой фазы.

^ 2. МОДУЛЬ 2. Металлы и сплавы – свойства и применение в электронной технике.

Лекция 7. Общие сведения о проводниках Классическая теория электропроводности металлов. Квантовая статистика электронов в металлах.

Лекция 8. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников. Влияние примесей и структурных дефектов.

Лекция 9. Электрические свойства металлических сплавов. Сопротивление тонких металлических пленок. Термоэлектрические явления в проводниках.

^ 3. Модуль 3. Полупроводниковые материалы – свойства и применение в электронной технике.

Лекция 10. Общие сведения о полупроводниках. Собственный полупроводник. Примесный полупроводник.

Лекция 11. Электропроводность полупроводников. Рассеяние носителей заряда. Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда.

Лекция 12. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Виды поглощения. Полный спектр поглощения. Фотопроводимость.

Лекция 13. Термо-ЭДС в полупроводниках. Полупроводник в сильных электрических полях. Влияние напряженности поля на подвижность и концентрация носителей. Термоэлектрическая, ударная ионизация. Туннельный эффект. Наклон энергетических зон в электрическом поле.

^ 4. Модуль 4. Диэлектрические материалы.
Лекция 14. Общие сведения о диэлектриках. Физические процессы в диэлектриках и их свойства. Поляризация диэлектриков. Механизмы поляризации. Токи смещения и электропроводность полупроводников.

Лекция 15. Потери в диэлектриках. Пробой. Активные диэлектрики. Конденсаторная сегнетокерамика. Материалы для варикондов. Сегнетоэлектрики с ППГ(прямоугольной петлёй гистерезиса).

Лекция 16. Электрооптические кристаллы. Материалы для нелинейной оптики. Пьезоэлектрики. Пироэлектрики. Электреты. Жидкие кристаллы.

Лекция 17. Магнитные свойства твердых тел. Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики и ферримагнетики. Классификация магнитных материалов. Структурные особенности, характеристики, понятия изотропных материалов: порошковые и гранулированные материалы, слоистые и волокнистые композиционные материалы, полимерные и другие органические материалы, углеродные материалы, их классификации, свойства, области оптимального использования.
^ 5.2 Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми (последующими) дисциплинами

№ п/п

Наименование обеспечиваемых

(последующих) дисциплин

№ разделов данной дисциплины, необходимых для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин

1

2

3

4

1.

Физическая химия твердого тела




+

+

+

2.

Вакуумно-плазменные процессы и технологии







+




3.

Процессы микро и нанотехнологий




+

+

+

4.

Технология материалов электронной техники

+

+

+

+

5.

Корпускулярно-фотонные процессы и технологии







+




6.

Нанотехнологии в электронике







+

+

7.

Технология наноструктур













8.

Основы наноэлектроники




+

+





^ 5.3. Разделы дисциплин и виды занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекц.

Практ.

зан.

Лаб.

зан.

Семин

СРС

Все-го

час.

1.

Строение и свойства материалов, фазовые диаграммы, получение монокристаллов

10

4




-

26

40

2.

Металлы и сплавы – свойства и применение в электронной технике

8

4

6

-

26

44

3.

Полупроводниковые материалы – свойства и применение в электронной технике

10

6

8

-

34

58

4.

Диэлектрические материалы

6




6




26

38


^ 6. Лабораторный практикум

Модуль 2. Лабораторные занятия: 6 час.

- Определение удельного сопротивления и ТКС металлов.;

- Исследование термоэлектрических явлений в проводниках.

Модуль 3. Лабораторные занятия: 8 час.

- Определение типа проводимости и удельного сопротивления полупроводника зондовым методом;

- Исследование поглощения света полупроводниками.

Модуль 4. Лабораторные занятия 6 часов.

- Исследование оптических свойств диэлектриков;

- Исследование диэлектрических характеристик материалов;

  1. Практические занятия (семинары)

Модуль 1. Тематика практических занятий. Трудоемкость 4 час.

Решение задач по однокомпонентным диаграммам плавкости. Анализ и описание двухкомпонентных диаграмм плавкости. Использование правила рычага и построение кривых охлаждения. Решение задач на уравнение Клайперона–Клаузиуса.

^ Модуль 2. Тематика практических занятий. Трудоемкость 4 час.

Решение задач по теме «Металлы и сплавы». Энергия Ферми. Закон Нордгейма. Температурные коэффициенты. Задачи на расчет сопротивления "квадрата" поверхности пленочных резисторов и др.

^ Модуль 3. Тематика практических занятий. Трудоемкость 6 час.

Решение задач по теме «Полупроводниковые материалы». Положение уровня Ферми. Проводимость собственных и примесных полупроводников. Аналаиз температурной зависимотси проводимости полупроводников. Диффузионная длина и время жизни неравновесных носителей заряда и др.

^ 8. Примерная тематика курсовых проектов (работ)

Курсовые проекты или работы данной дисциплине не планируются

9. Образовательные технологии и методические рекомендации по организации изучения дисциплины

Чтение лекций по данной дисциплине проводится с использованием мультимедийных презентаций. Слайд-конспект курса лекций включает более 250 слайдов. Презентация позволяет преподавателю четко структурировать материал лекции, экономить время, затрачиваемое на рисование на доске схем, написание формул и других сложных объектов, что дает возможность увеличить объем излагаемого материала. Кроме того, презентация позволяет очень хорошо иллюстрировать лекцию не только схемами и рисунками которые есть в учебном пособии, но и полноцветными фотографиями, рисунками, портретами ученых и т.д. Электронная презентация позволяет отобразить физические и химические процессы в динамике, что позволяет улучшить восприятие материала. Студентам предоставляется возможность копирования презентаций для самоподготовки и подготовки к экзамену.

Поскольку лекции читаются для одной группы студентов (20 – 25 чел.) непосредственно в аудитории контролируется усвоение материала основной массой студентов путем тестирования по отдельным модулям дисциплины.

При работе в малоконтингентной группе, сформированной из достаточно успешных студентов, целесообразно использовать диалоговую форму ведения лекций с использованием элементов практических занятий, постановкой и решением проблемных задач и т.д. В рамках лекционных занятий можно заслушать и обсудить подготовленные студентами рефераты.

^ При проведении практических занятий преподавателю рекомендуется не менее 1 часа из двух (50% времени) отводить на самостоятельное решение задач. Практические занятия целесообразно строить следующим образом:

  1. Вводная преподавателя (цели занятия, основные вопросы, которые должны быть рассмотрены).

  2. Беглый опрос.

  3. Решение 1-2 типовых задач у доски.

  4. Самостоятельное решение задач.

  5. Разбор типовых ошибок при решении (в конце текущего занятия или в начале следующего).

Для проведения занятий необходимо иметь большой банк заданий и задач для самостоятельного решения, причем эти задания могут быть дифференцированы по степени сложности. В зависимости от дисциплины или от ее раздела можно использовать два пути:

  1. Давать определенное количество задач для самостоятельного решения, равных по трудности, а оценку ставить за количество решенных за определенное время задач.

  2. Выдавать задания с задачами разной трудности и оценку ставить за трудность решенной задачи.

По результатам самостоятельного решения задач следует выставлять по каждому занятию оценку. Оценка предварительной подготовки студента к практическому занятию может быть сделана путем экспресс-тестирования (тестовые задания закрытой формы) в течение 5, максимум - 10 минут. Таким образом, при интенсивной работе можно на каждом занятии каждому студенту поставить по крайней мере две оценки.

По материалам модуля или раздела целесообразно выдавать студенту домашнее задание и на последнем практическом занятии по разделу или модулю подвести итоги его изучения (например, провести контрольную работу в целом по модулю), обсудить оценки каждого студента, выдать дополнительные задания тем студентам, которые хотят повысить оценку за текущую работу.

^ При проведении лабораторного практикума необходимо создать условия для максимально самостоятельного выполнения лабораторных работ. Поэтому при проведении лабораторного занятия преподавателю рекомендуется:

  1. Провести экспресс-опрос (устно или в тестовой форме) по теоретическому материалу, необходимому для выполнения работы (с оценкой).

  2. Проверить планы выполнения лабораторных работ, подготовленный студентом дома (с оценкой).

  3. Оценить работу студента в лаборатории и полученные им данные (оценка).

  4. Проверить и выставить оценку за отчет.

Любая лабораторная работа должна включать глубокую самостоятельную проработку теоретического материала, изучение методик проведения и планирование эксперимента, освоение измерительных средств, обработку и интерпретацию экспериментальных данных. При этом часть работ может не носить обязательный характер, а выполняться в рамках самостоятельной работы по курсу. В ряд работ целесообразно включить разделы с дополнительными элементами научных исследований, которые потребуют углубленной самостоятельной проработки теоретического материала.

^ При организации внеаудиторной самостоятельной работы по данной дисциплине преподавателю рекомендуется использовать следующие ее формы:

  • подготовка и написание рефератов, докладов, очерков и других письменных работ на заданные темы.

  • выполнение домашних заданий разнообразного характера. Это - решение задач; подбор и изучение литературных источников; подбор иллюстративного и описательного материала по отдельным разделам курса в сети Интернет.

  • выполнение индивидуальных заданий, направленных на развитие у студентов самостоятельности и инициативы. Индивидуальное задание может получать как каждый студент, так и часть студентов группы;

10. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение
самостоятельной работы студентов

Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:

- лабораторные работы - 20 баллов;

- практические занятия – 6 баллов;

- контрольные работы по каждому модулю – всего 20 баллов;

- домашнее задание или реферат – 4 баллов.

Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее 26 баллов. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет половину от максимального.

^ Для самостоятельной работы используются задания и задачи, приведенные в перечисленных ниже учебных пособиях:

1. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники: Задачи и вопросы. Учеб. пособие для вузов по специальностям электронной техники. - СПб.: Лань, 2001,-208 с.

2. Электронное материаловедение. Лабораторный практикум. Под ред. В.А. Титова. Иваново, Изд. ИГХТУ, 2003 г., 108 с.

^ Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля

Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 400 заданий – в основном закрытого типа. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 20 заданий по каждому модулю и генерируется с помощью специальной программы. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание. Примеры контрольных тестов по каждому модулю приведен ниже.


Вариант (пример) тестовых заданий для контроля учебных достижений студентов

Строение и свойства материалов, фазовые диаграммы, получение монокристаллов

Гетерогенная система при постоянной температуре и давлении находится в равновесии, если
А) химические потенциалы ее компонентов во всех фазах разные

Б) энтальпия системы постоянна

В) химические потенциалы ее компонентов во всех фазах одинаковы
Для трехкомпонентной системы, содержащей две фазы в равновесии число степеней свободы равно
А) две

Б) три

В) одна
Известно, что при плавлении вещества мольный обем жидкости больше мольного объема твердой фазы. Для этого вещества с ростом давления температура плавления будет
А) увеличиваться

Б) уменьшаться

В) не меняться
Для однокомпонентной системы число фаз в равновесии не может быть больше
А) трех

Б) двух

В) одной
При постоянном давлении число фаз в равновесии для бинарной системы не может быть больше
А) трех

Б) двух

В) одной
Число степеней свободы в точке эвтектики для бинарной системы при постоянном давлении равно
А) три

Б) два

В) нуль
Различие точек эвтектики и перитектики заключается в том, что
А) число степеней свободы равно нулю

Б) кристаллизуются два твердых компонента

В) в точке перитектики один из твердых компонентов расходуется на образование другого

^ Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:

- тестовый экзамен (50 закрытых заданий (выборка из 150), каждое задание оценивается в 1 балл), на котором студент должен набрать не менее 26 баллов – оценка «удовлетворительно»;

- письменный экзамен, который проводится по вопросам, приводимым ниже. Экзаменационный билет включает два вопроса, из приводимого ниже перечня, и одной задачи. Ответ на каждый вопрос оценивается из 15 баллов, задача 20 баллов. Студент на письменном экзамене может набрать до 50 баллов.

Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и письменной частей, разделенная на 2.
^ Экзаменационные вопросы к экзамену по дисциплине

"МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ"

группа 3/10

  1. Классификация материалов, применяемых в электронной технике. Требования, предъявляемые к материалам различных классов.

  2. Особенности строения твердых тел. Кристаллические и аморфные тела. Монокристаллы.

  3. Основные понятия и законы термодинамики. Термодинамическое обоснование фазовых превращений

  4. Механизмы кристаллизации из расплавов. Центры кристаллизации. Факторы, влияющие на скорость роста, форму и размеры кристаллов. Строение слитков.

  5. Правило фаз Гиббса. Диаграмма состояния однокомпонентной системы.

  6. Уравнение Клайперона –Клаузиуса. Анализ уравнения при равновесии ж.-тв., ж.-г., ж.-тв.

  7. Виды диаграмм фазового состояния для бинарной системы. Кривые охлаждения.

  8. Диаграммы плавкости для бинарных систем без твердых растворов.

  9. Диаграммы плавкости для бинарных систем с неограниченной растворимостью в жидких и твердых фазах. Правило рычага.

  10. Диаграммы плавкости бинарных систем с ограниченными твердыми растворами на примере эвтектики.

  11. Диаграммы плавкости бинарных систем с ограниченными твердыми растворами на примере перитектики.

  12. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.

  13. Классическая теория электропроводности металлов – основные положения и противоречия.

  14. Квантовая статистика электронов в металлах и базирующаяся на ней теория электропроводности.

  15. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводниковых материалов

  16. Влияние примесей и структурных дефектов на электропроводность металлов. Электрические свойства металлических сплавов.

  17. Электропроводность тонких металлических пленок.

  18. Термоэлектрические явления в проводниках.

  19. Особенности полупроводниковых материалов. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.

  20. Примесные полупроводники. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в примесных полупроводниках.

  21. Электропроводность полупроводников. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Температурная зависимость электропроводности полупроводников.

  22. Неравновесные носители зарядов в полупроводниках. Генерация и рекомбинация. Влияние рекомбинационных ловушек и ловушек захвата на процесс рекомбинации. Время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда.

  23. Поглощение света полупроводниками. Механизмы поглощения. Спектр поглощения.

  24. Фотопроводимость полупроводников.

  25. Полупроводники в сильных электрических полях. Влияние напряженности электрического поля на электропроводность полупроводника.

  26. Термоэлектрические явления в полупроводниках.

  27. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы поляризации.

  28. Токи смещения и электропроводность диэлектрических материалов.

  29. Диэлектрические потери в твердых диэлектрических материалах.

  30. Пробой в диэлектриках. Механизмы пробоя. Меры предотвращения пробоя.

  31. Свойства, классификация и области применения сегнетоэлектрических материалов.

  32. Электрооптические кристаллы. Применение. Основные свойства. Используемые материалы.

  33. Материалы нелинейной оптики. Область применения. Свойства. Основные представители.

  34. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение. Используемые материалы.

  35. Пироэлектрики. Основные свойства и характеристики. Область применения. Используемые материалы.

  36. Электреты. Основные свойства. Способы получения. Используемые материалы.


^ 11. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

а) основная литература:

1. Материаловедение : Методы анализа, лаб. работы и задачи: учеб. пособ. для вузов / Ю. А. Геллер, А. Г. Рахштадт. - 4-е изд., перераб. и доп. - М.: Металлургия, 1975. - 447 с.: ил. - 1-34.

2. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники.- СПб.: Лань, 2001.- 367 с.

3. Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники: Учебник для вузов.- М.:Высшая школа, 1982.- 608 с.

4. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники: Задачи и вопросы. Учеб. пособие для вузов по специальностям электронной техники. - СПб.: Лань, 2001,-208 с.

5. Электронное материаловедение. Лабораторный практикум. Под ред. В.А. Титова. Иваново, Изд. ИГХТУ, 2003 г., 108 с.

6. Физические методы исследования материалов электронной техники. Учебное пособие Ставрополь, Изд. Сев-Кавказ. ГТУ, 2002 г., 429 с.

7. Мозберг Р.К.  Материаловедение: Учеб.пособие для техн.вузов / Р. К. Мозберг. - 2-е изд.,перераб. - М.: Высшая школа, 1991. - 448с.: ил.

8. Материаловедение. Технология конструкци-онных материалов : учеб. пособие для вузов по направлению "Электроника, электротехника и электротехнологии" / А. В. Шишкина [и др.] ; под ред. В. С. Чередниченко. - 2-е изд., перераб. - М. : [Омега-Л] , 2006. - 751 с : . - (Высшее техническое образование). - Библиогр. : с. 719-720. - Предм. указ. : 721-742.

б) дополнительная литература:

  1. Материаловедение, Соломенцев Ю.М., ред., "Высшая школа (Москва)" - 2005, 456 стр. - ISBN: 5-06-004451-3

  2. Материаловедение в схемах-конспектах. Ульянина И.Ю., "МГИУ" - 2006, 139 стр.- ISBN: 5-276-00853-1

  3. Материаловедение и технология металлов. Фетисов Г.П., ред., "Высшая школа (Москва)" - 2006, 862 стр.- ISBN: 5-06-004418-1

  4. Химия твердого тела. Кнотько А.В., Пресняков И.А., Третьяков Ю.Д., "Академия" - 2006, 302 стр.- ISBN: 5-7695-2262-3

  5. Материаловедение. Барташевич А.А., Бахар Л.М., "Феникс" - 2005, 349 стр. - ISBN: 5-222-07477-3

  6. Материаловедение. Сеферов Г.Г., Батиенков В.Т., Сеферов Г.Г. и др., "ИНФРА-М" - 2005, 150 стр. - ISBN: 5-16-002308-9

  7. Материаловедение. Черепахин А.А., "Академия" - 2004, 253 стр. - ISBN: 5-7695-1517-1

  8. Материаловедение. Чумаченко Ю.Т., Чумаченко Г.В., "Феникс" - 2005, 314 стр.- ISBN: 5-222-06722-X

  9. Материаловедение. Ржевская С.В., "Логос" - 2004, 421 стр. - ISBN: 5-94010-307-3


в) программное обеспечение

  • СИСТЕМНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Windows XP, Microsoft Vista

  • ПРИКЛАДНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Office 2007 Pro, FireFox

  • СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ: СДО Moodle, SunRAV BookOffice Pro, SunRAV TestOfficePro.

12. Материально-техническое обеспечение дисциплины (модуля)

Лекции по дисциплине проводятся в аудитории, оснащенной видеопроектором. Практические занятия проводятся в дисплейном классе кафедры (10 ПЭВМ типа Pentium).

При проведении лабораторного практикума используется дисплейный класс кафедры (10 ПЭВМ типа Pentium), а так же лаборатория Материаловедения (30 кв.м.) оснащенная стендами и установками для исследования

Перечень оборудования на каждой установке приводится в учебном пособии "Электронное материаловедение." Лабораторный практикум. Под ред. В.А. Титова. Иваново, Изд. ИГХТУ, 2003 г., 108 с.
Программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО с учетом рекомендаций и ПрООП ВПО по направлению и профилю подготовки .

Автор (Иванов А.Н.)

Заведующий кафедрой (Светцов В.И.)

Рецензент (ы)

(подпись, ФИО)
Программа одобрена на заседании научно-методического совета факультета неорганической химии и технологии ИГХТУ от «_____» ________ 201__ года, протокол № ____.

Председатель НМС _______________ (ФИО)